CMP抛光液( chemical mechanical polishing化学机械抛光，简称CMP)是平坦化精密加工工艺中超细固体研磨材料和化学添加剂的混合物，CMP抛光液一般由提供研磨作用的超细固体粒子如纳米级SiO2、Al2O3粒子等和提供腐蚀溶解作用的表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成。它广泛用于各类集成电路、半导体、蓝宝石、LED行业及其他领域的抛光过程，用来辅助抛光、保护硅片等材料免受划伤，因此在国产芯片的发展历程中是离不开它的。本文将对中国CMP抛光液行业现状与机遇进行分析。
CMP技术是目前集成电路硅晶片抛光的充分条件
CMP技术通过化学腐蚀和机械研磨综合发挥作用，它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来打磨较硬的抛光工件。施加一定压力和抛光浆料，使抛光工件相对于抛光垫作往复运动，借助于纳米粒子的研磨作用和氧化剂的腐蚀作用的结合，在被抛光的工件表面形成较高质量的光洁表面。从而避免了单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面不平整、抛光一致性差和单纯机械抛光造成的表面损伤等缺点。
在集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光上，CMP技术应用最为广泛。目前，国际上普遍认为，器件特征尺寸小于0.35μm时，为了保证光刻影像传递的精确度和分辨率必须进行全局平面化，而CMP是现在几乎唯一可以满足全局平面化需求的技术。
目前，CMP技术己经发展成以化学机械抛光机为主体，将在线检测、终点检测、清洗等工艺流程融于于一体的系统技术，产生于集成电路向薄型化、平坦化、微细化、多层化工艺发展过程。同时也是晶圆向更大直径过渡，提高生产率，降低制造成本，衬底全局平坦化所必需的工艺技术。
作为CMP技术的最重要构成，CMP抛光液一般由磨料、PH值调节剂、氧化剂、分散剂和去离子水等添加剂组成。
